麻城施邁賽轉(zhuǎn)速控制器SM48-DS（接近傳感器）自動(dòng)控制。本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、造價(jià)低廉、使用可靠、能自動(dòng)控制電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速、實(shí)現(xiàn)電動(dòng)機(jī)的可控速度與加載在電機(jī)上的負(fù)載無(wú)關(guān)的控制設(shè)備，只要設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的電路就能使鉆孔機(jī)、電錘等電機(jī)的的轉(zhuǎn)速可控、且與加在鉆孔機(jī)上的負(fù)載無(wú)關(guān)，而且避免了控制可控硅導(dǎo)通角方式的*大毛?。侯l閃。這對(duì)我們的工作是極有好處的，本電路的設(shè)計(jì)能保證隨著負(fù)載的增大，電動(dòng)機(jī)的反電動(dòng)勢(shì)下降，從而使工作電流加強(qiáng)，做到電機(jī)的可控速度與加載在電機(jī)上的負(fù)載無(wú)關(guān)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種自動(dòng)轉(zhuǎn)速控制系統(tǒng)，包括高頻干擾濾波電路、降壓整流電路、齊納電壓產(chǎn)生電路、雙向可控硅控制電路、負(fù)載（電錘、鉆孔機(jī)等）電路；220v交流電壓輸入由電感L1與電容C1連接形成的高頻干擾濾波電路；經(jīng)過(guò)高頻濾波的交流電壓輸入由電阻R1、和二極管D1連接形成的降壓整流電路，二極管D1輸出的整流電壓對(duì)電容器C2充電；晶體管Q的基極連接于電位器P1與電阻R3之間，同時(shí)電阻R2、電位器P1、電阻R3串聯(lián)接，晶體管Q的集電極連接電容C2，形成所述齊納電壓產(chǎn)生電路，晶體管Q電路實(shí)際上是一個(gè)基于可調(diào)的穩(wěn)壓管；齊納電壓經(jīng)過(guò)觸發(fā)二極管D2、輸入由觸發(fā)電阻R4連接雙向可控硅Triac組成的雙向可控硅控制電路；Triac的**陽(yáng)極T1連接電機(jī)電路，Triac的**陽(yáng)極T2連接高頻干擾濾波電路的輸出端。
所述高頻干擾濾波電路，包括電感L1和電容C1，用來(lái)濾除電路應(yīng)對(duì)市電相位斬波所產(chǎn)生的高頻干擾。
所述降壓整流電路，包括電阻R1、和二極管D1，可以通過(guò)R1、 D1對(duì)電容器C2充電。
所述齊納電壓產(chǎn)生電路，包括晶體管Q、電阻R2、 R3、電位器P1以及電容C2，晶體管Q電路實(shí)際上是基于一個(gè)可調(diào)的穩(wěn)壓管原理，在這個(gè)電路中，穩(wěn)壓電壓由電位器P1的大小來(lái)決定，實(shí)際上Q集電極和發(fā)射級(jí)之間的電壓是由電阻R3和R2 +P1的比值決定的。
所述雙向可控硅控制電路，包括雙向可控硅Triac，觸發(fā)電阻R4，其中雙向可控硅Triac被觸發(fā)的時(shí)刻是由齊納管電壓和電機(jī)的反電動(dòng)勢(shì)之差來(lái)決定的。
安裝有該速度控制器的鉆孔機(jī)或電錘開(kāi)始上電工作時(shí)，其中的電機(jī)接的不是普通鉆孔機(jī)電機(jī)接的位置，而是接在Triac之T1位置，如附圖1。
所述負(fù)載電路包括電錘、鉆孔機(jī)，以及一切電感性負(fù)載。
附圖說(shuō)明
附圖1、附圖2、附圖3用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖1 是本實(shí)用新型設(shè)計(jì)電機(jī)轉(zhuǎn)速控制器電氣原理圖；附圖2是本實(shí)用新型設(shè)計(jì)所用核心元器件雙向可控硅Triac伏—安特性圖；附圖3是本轉(zhuǎn)速控制器的對(duì)比電路調(diào)光臺(tái)燈控制電路圖，通過(guò)技術(shù)對(duì)比體現(xiàn)了本控制技術(shù)的優(yōu)越性。
具體實(shí)施方式
附圖1是本實(shí)用新型設(shè)計(jì)電機(jī)轉(zhuǎn)速控制器電氣原理圖，包括高頻干擾濾波電路、降壓整流電路、齊納電壓產(chǎn)生電路、雙向可控硅控制電路、負(fù)載（電錘、鉆孔機(jī)等）電路，下面詳細(xì)介紹本實(shí)用新型。
附圖1中齊納電壓對(duì)雙向可控硅導(dǎo)通的控制是本控制器的重點(diǎn)和難點(diǎn)，正是Triac的存在才使電機(jī)的轉(zhuǎn)速被控制得以實(shí)現(xiàn)，首先簡(jiǎn)單介紹一下雙向可控硅的工作原理及伏安特性。
本設(shè)計(jì)所用功率器件為雙向可控硅（Triac）, Triac為三端元件，其三端分別為T1(**端子或**陽(yáng)極)，T2(**端子或**陽(yáng)極)和G(控制極,亦為閘極控制開(kāi)關(guān))，與SCR(單向可控硅)*大的不同點(diǎn)在于Triac無(wú)論于正向或反向電壓時(shí)皆可導(dǎo)通，因?yàn)樗请p向元件，所以不管T1、T2的電壓極性如何，若閘極有信號(hào)加入時(shí)，則T1、T2間可呈導(dǎo)通狀態(tài)；反之，T1、T2間有極高的阻抗。
可控硅有兩個(gè)參數(shù)很重要，一個(gè)是控制極觸發(fā)電壓UGT，UGT是指在室溫下，陽(yáng)極和陰極間（單向可控硅分陽(yáng)極和陰極，雙向可控硅指**陽(yáng)極和**陽(yáng)極）加6V電壓時(shí)，使可控硅從截止變?yōu)橥耆珜?dǎo)通所需的*小控制極直流電壓；另一個(gè)是控制極觸發(fā)電流IGT，IGT是指在室溫下，陽(yáng)極和陰極間加6V電壓時(shí)，使可控硅從截止變?yōu)橥耆珜?dǎo)通所需的控制極*小直流電流。
可控硅的觸發(fā)，是由電流觸發(fā)的，雖然是電流觸發(fā)可控硅，但電壓是形成電流的基本條件。VG（觸發(fā)門極電壓）是指G和T1或T2之間的電壓，也就是一個(gè)PN結(jié)的壓差，約0.7V，與三極管類似。門極可控硅具有自保持特征，即流入G的電流IG只要大于等于門極的控制極觸發(fā)電流IGT，可控硅即導(dǎo)通，此時(shí)徹底取消流入G的電流，可控硅還是保持導(dǎo)通狀態(tài)，除非去掉T1、T2之間的電壓，附圖2為雙向可控硅的V-I特性圖。
附圖2中，IT1-T2是指雙向可控硅兩個(gè)陽(yáng)極之間的導(dǎo)通電流；VT2-T1是指雙向可控硅兩個(gè)陽(yáng)極之間的電壓；IH是指擎住電流或維持電流；IG3、IG2、IG1是指不同的觸發(fā)門極電流；VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極（G）開(kāi)路的條件下，在其陽(yáng)極（A）與陰極（K）之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。
附圖2可以看出，觸發(fā)脈沖應(yīng)該有足夠的幅度（電壓）和寬度（電流）才能使可控硅完全導(dǎo)通，為了保證可控硅在各種條件下均能可靠觸發(fā)，觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流必須大于可控硅的控制極觸發(fā)電壓UGT與控制極觸發(fā)電流IGT，并且觸發(fā)脈沖的*小寬度要持續(xù)到陽(yáng)極電流上升到維持電流（即擎住電流 IH）以上，否則可控硅會(huì)因?yàn)闆](méi)有完全導(dǎo)通而重新關(guān)斷。
不同的觸發(fā)電流IG對(duì)應(yīng)Triac不同的伏—安特性，而觸發(fā)電流是由觸發(fā)電壓形成的，故改變觸發(fā)電壓VG，就會(huì)使Triac輸出不一樣的V--I特性，如附圖2。
電機(jī)速度控制器電氣原理詳解，由圖1可以看出，該電路非常簡(jiǎn)單，工作過(guò)程也不復(fù)雜。在交流市電的正半軸，電容器C2可以通過(guò)R1、 D1充電，直到該電容器兩端的電壓等于晶體管Q電路的齊納電壓為止，這時(shí)晶體管Q可以看作一個(gè)穩(wěn)壓二極管。
晶體管Q電路實(shí)際上是基于一個(gè)可調(diào)的穩(wěn)壓管，在這個(gè)電路中，穩(wěn)壓電壓由電位器P1的大小來(lái)決定。實(shí)際上Q集電極和發(fā)射級(jí)之間的電壓是由電阻R3和R2 +P1的比值決定的。由圖可知，R3兩端的電壓降總是等于Q基極——發(fā)射級(jí)之間的電壓（0.6V）。所以，齊納管（這時(shí)Q相當(dāng)于一個(gè)齊納二極管）的電壓應(yīng)等于：
VQ=(P1 +R2 +R3)/R3*0.6V。
安裝有該速度控制器的鉆孔機(jī)或電錘開(kāi)始上電工作時(shí)，其中的電機(jī)接的不是普通鉆孔機(jī)電機(jī)接的位置，而是接在Triac之T1位置，如附圖1。其中雙向可控硅Triac被觸發(fā)的時(shí)刻是由齊納管電壓和電機(jī)的反電動(dòng)勢(shì)之差來(lái)決定的。
因?yàn)殡娐分惺褂昧穗p向可控硅Triac，故這個(gè)電路可以控制交流市電的完整周期360。度。電機(jī)的轉(zhuǎn)速可由電位器P1調(diào)節(jié)，但是這個(gè)電路不可能從0到100%改變鉆孔機(jī)的速度，即當(dāng)其沒(méi)有負(fù)載時(shí)，電機(jī)工作的似動(dòng)非動(dòng)，俗話叫“抽抽”（其實(shí)就相當(dāng)于調(diào)光臺(tái)燈電路的“頻閃”）。故在極低負(fù)載情況下，該控制電路也是有“頻閃”現(xiàn)象，但一旦鉆孔機(jī)接上負(fù)載，這種現(xiàn)象就會(huì)立刻消失。
電感L1和電容C1用來(lái)濾除電路因?qū)κ须娤辔粩夭ㄋa(chǎn)生的高頻干擾。可控硅必須安裝在一散熱器上，以保證該器件有效地冷卻。
通過(guò)與導(dǎo)通角控制方式的比較，充分體現(xiàn)齊納電壓控制電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速的優(yōu)越性， 調(diào)光臺(tái)燈控制電路即利用了可控硅導(dǎo)通角控制方式來(lái)調(diào)節(jié)臺(tái)燈光照亮度，調(diào)光臺(tái)燈控制電路如附圖3。
調(diào)光臺(tái)燈的的工作原理是電源電壓通過(guò)電位器給電容充電，當(dāng)電容C1上的電壓達(dá)到一定數(shù)值后，就會(huì)通過(guò)雙向二極管觸發(fā)可控硅導(dǎo)通，調(diào)節(jié)電位器的旋鈕，可以改變充電的時(shí)間，從而控制可控硅的導(dǎo)通角，實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)燈泡亮度。由于可控硅的特性導(dǎo)致可控硅在交流電半周持續(xù)期間導(dǎo)通，半周過(guò)零期間截止；下一周期繼續(xù)C1的存放電，故這種控制方式有很大的毛病：頻閃。
由此可見(jiàn)，調(diào)光臺(tái)燈電路只適合于如燈泡、電烙鐵等電阻性負(fù)載，不適合于電動(dòng)機(jī)等這樣的電感性負(fù)載，電感在“零交叉”切換過(guò)程中，瞬間會(huì)產(chǎn)生極高的反向自感電動(dòng)勢(shì)，反向自感電動(dòng)勢(shì)有時(shí)甚至超過(guò)電源電壓極易擊穿可控硅，而且負(fù)載電路的電感線圈也會(huì)產(chǎn)生匝間、或電機(jī)繞組間擊穿，這點(diǎn)是決不能忽視的。
通過(guò)以上比較可以看出，本文介紹的控制電路與調(diào)光臺(tái)燈電路有很大不同，雙向可控硅Triac被觸發(fā)的時(shí)刻是由齊納管電壓和電機(jī)的反電動(dòng)勢(shì)之差來(lái)決定，而齊納管電壓是相對(duì)穩(wěn)定的。故該電路運(yùn)行更**、控制更平滑，用這種電路控制像鉆孔機(jī)、電錘等電感性負(fù)載的電動(dòng)工具是極為適合的。
在本控制電路中，由于雙向可控硅Trial是控制器的核心元件，在電機(jī)負(fù)載較大的時(shí)候，通過(guò)可控硅的電流很大，故實(shí)際制作的時(shí)候，可控硅必須安裝在一散熱器上，以保證該可控硅有效地冷卻。
該控制器電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、思路巧妙，制作成本十分低廉，比使用變頻控制技術(shù)或可控硅導(dǎo)通角控制技術(shù)的的相關(guān)產(chǎn)品性價(jià)比更高，十分適合于所有電感性負(fù)載控制使用。